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MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR

MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR

僅供參考

型號 MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR
PNEDA編號 MT29F8G16ABACAWP-IT-C-TR
描述 IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR
類別半導體內存IC內存

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MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小8Gb (512M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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內存類型

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技術

FLASH

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP I

CY7C1565V18-400BZXC

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (15x17)

23LC1024-E/ST

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

16MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

CY14B108M-ZSP45XIT

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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