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MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR

MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR

僅供參考

型號 MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR
PNEDA編號 MT35XU01GBBA1G12-0AAT-TR
描述 SERIAL NOR SLC 128MX8 TBGA DDP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,572
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR
類別半導體內存IC內存

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MT35XU01GBBA1G12-0AAT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列Xccela™ - MT35X
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Xccela Bus
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 105°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-TPBGA

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-TFBGA

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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