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MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

僅供參考

型號 MT3S113TU,LF
PNEDA編號 MT3S113TU-LF
描述 RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 27,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT3S113TU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT3S113TU,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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MT3S113TU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)5.3V
頻率-過渡11.2GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.45dB @ 1GHz
增益12.5dB
功率-最大900mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 30mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝UFM

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

310mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

15dB

功率-最大

330mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

1.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

增益

14dB @ 200MHz

功率-最大

350W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 8mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

增益

-

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

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