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MT40A1G8WE-075E AIT:B TR

MT40A1G8WE-075E AIT:B TR

僅供參考

型號 MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
PNEDA編號 MT40A1G8WE-075E-AIT-B-TR
描述 IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT40A1G8WE-075E AIT:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR, MT40A1G8WE-075E AIT:B TR數據表 (總頁數: 391, 大小: 11,348.46 KB)
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MT40A1G8WE-075E AIT:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR4
內存大小8Gb (1G x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率1.33GHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.26V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x12)

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Micron Technology Inc.

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內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

AT28C256F-15FM/883

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-CFlatPack

供應商設備包裝

28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-VFBGA

供應商設備包裝

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