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MT40A512M8RH-075E:B

MT40A512M8RH-075E:B

僅供參考

型號 MT40A512M8RH-075E:B
PNEDA編號 MT40A512M8RH-075E-B
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT40A512M8RH-075E:B資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT40A512M8RH-075E:B
類別半導體內存IC內存

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MT40A512M8RH-075E:B規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR4
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率1.33GHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.26V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x10.5)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

208-LFBGA

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

150ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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