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MT44K32M18RB-107E:B TR

MT44K32M18RB-107E:B TR

僅供參考

型號 MT44K32M18RB-107E:B TR
PNEDA編號 MT44K32M18RB-107E-B-TR
描述 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT44K32M18RB-107E:B TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT44K32M18RB-107E:B TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT44K32M18RB-107E:B TR, MT44K32M18RB-107E:B TR數據表 (總頁數: 120, 大小: 1,653.88 KB)
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MT44K32M18RB-107E:B TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術DRAM
內存大小576Mb (32M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間8ns
電壓-供電1.28V ~ 1.42V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱168-TBGA
供應商設備包裝168-BGA (13.5x13.5)

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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152-VFBGA (14x14)

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Renesas Electronics America

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

32-sTSOP

CY14MB064Q1A-SXIT

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.8ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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