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MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR

MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR

僅供參考

型號 MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR
PNEDA編號 MT46H8M16LFBF-6-AT-K-TR
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR, MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR數據表 (總頁數: 94, 大小: 3,212.27 KB)
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MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5.0ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-VFBGA
供應商設備包裝60-VFBGA (8x9)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

750ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

9ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

1Mb (32K x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.63V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

24-T-PBGA (6x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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