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MT46V64M4P-5B:G TR

MT46V64M4P-5B:G TR

僅供參考

型號 MT46V64M4P-5B:G TR
PNEDA編號 MT46V64M4P-5B-G-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V64M4P-5B:G TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V64M4P-5B:G TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT46V64M4P-5B:G TR, MT46V64M4P-5B:G TR數據表 (總頁數: 93, 大小: 3,632.33 KB)
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MT46V64M4P-5B:G TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小256Mb (64M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.5V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

125MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7ns

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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