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MT47H128M8B7-5E:A TR

MT47H128M8B7-5E:A TR

僅供參考

型號 MT47H128M8B7-5E:A TR
PNEDA編號 MT47H128M8B7-5E-A-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 4,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H128M8B7-5E:A TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H128M8B7-5E:A TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H128M8B7-5E:A TR, MT47H128M8B7-5E:A TR數據表 (總頁數: 137, 大小: 7,581.3 KB)
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MT47H128M8B7-5E:A TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間600ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱92-VFBGA
供應商設備包裝92-FBGA (11x19)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

3500ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

120ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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