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MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

僅供參考

型號 MT47H512M4THN-25E:H
PNEDA編號 MT47H512M4THN-25E-H
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 7,038
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT47H512M4THN-25E:H資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT47H512M4THN-25E:H
類別半導體內存IC內存
數據表
MT47H512M4THN-25E:H, MT47H512M4THN-25E:H數據表 (總頁數: 10, 大小: 360.68 KB)
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MT47H512M4THN-25E:H規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小2Gb (512M x 4)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱63-TFBGA
供應商設備包裝63-FBGA (8x10)

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

75ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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內存類型

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

550MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

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