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MTFC32GJDED-3M WT

MTFC32GJDED-3M WT

僅供參考

型號 MTFC32GJDED-3M WT
PNEDA編號 MTFC32GJDED-3M-WT
描述 IC FLASH 256G MMC 169VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MTFC32GJDED-3M WT資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MTFC32GJDED-3M WT
類別半導體內存IC內存

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MTFC32GJDED-3M WT規格

制造商Micron Technology Inc.
系列e•MMC™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND
內存大小256Gb (32G x 8)
內存接口MMC
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-25°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱169-VFBGA
供應商設備包裝169-VFBGA (14x18)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

*

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

24C01CT-I/MC

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

MoBL®

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-VFBGA

供應商設備包裝

48-VFBGA (6x8)

CY62148ELL-55SXI

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

MoBL®

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.445", 11.30mm Width)

供應商設備包裝

32-SOIC

CY7C1321CV18-167BZC

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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