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MUN5312DW1T1G

MUN5312DW1T1G

僅供參考

型號 MUN5312DW1T1G
PNEDA編號 MUN5312DW1T1G
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 324,684
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 4 - 二月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MUN5312DW1T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MUN5312DW1T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
MUN5312DW1T1G, MUN5312DW1T1G數據表 (總頁數: 10, 大小: 99.82 KB)
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MUN5312DW1T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22kOhms
電阻-發射極基(R2)22kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 20V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

頻率-過渡

185MHz

功率-最大

600mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74, SOT-457

供應商設備包裝

6-TSOP

SMUN5330DW1T1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

1kOhms

電阻-發射極基(R2)

1kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

3 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

187mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SC-88/SC70-6/SOT-363

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制造商

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系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

電阻-基本(R1)

-

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

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頻率-過渡

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安裝類型

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1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

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