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MURT20060

MURT20060

僅供參考

型號 MURT20060
PNEDA編號 MURT20060
描述 DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,546
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURT20060資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURT20060
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MURT20060規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)160ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 50V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

85ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

300mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 300mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 30V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

46V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40000V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

55A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

490mV @ 55A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3.5mA @ 30V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 120A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

工作溫度-結點

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安裝類型

Chassis Mount

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