MURT20060R數據表
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制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Anode 二極管類型 Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 600V 電流-平均整流（Io）（每個二極管） 200A (DC) 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.7V @ 100A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） 160ns 當前-反向泄漏@ Vr 25µA @ 50V 工作溫度-結點 - 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Three Tower 供應商設備包裝 Three Tower |
制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Cathode 二極管類型 Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 600V 電流-平均整流（Io）（每個二極管） 200A (DC) 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.7V @ 100A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） 160ns 當前-反向泄漏@ Vr 25µA @ 50V 工作溫度-結點 - 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Three Tower 供應商設備包裝 Three Tower |
制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Anode 二極管類型 Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 400V 電流-平均整流（Io）（每個二極管） 200A (DC) 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.35V @ 100A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） 90ns 當前-反向泄漏@ Vr 25µA @ 50V 工作溫度-結點 - 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Three Tower 供應商設備包裝 Three Tower |
制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Cathode 二極管類型 Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 400V 電流-平均整流（Io）（每個二極管） 200A (DC) 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 1.35V @ 100A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） 90ns 當前-反向泄漏@ Vr 25µA @ 50V 工作溫度-結點 - 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Three Tower 供應商設備包裝 Three Tower |
