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MURT20060R

MURT20060R

僅供參考

型號 MURT20060R
PNEDA編號 MURT20060R
描述 DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURT20060R資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURT20060R
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MURT20060R, MURT20060R數據表 (總頁數: 3, 大小: 727.78 KB)
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MURT20060R規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)160ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 50V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

工作溫度-結點

-40°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 60V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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制造商

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二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

250A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 250A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

工作溫度-結點

-55°C ~ 125°C

安裝類型

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