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MURTA60060

MURTA60060

僅供參考

型號 MURTA60060
PNEDA編號 MURTA60060
描述 DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MURTA60060資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MURTA60060
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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MURTA60060規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)600A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)280ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 50V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Three Tower
供應商設備包裝Three Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

400A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5.5mA @ 20V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

215mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 80V

工作溫度-結點

150°C (Max)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 35V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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