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MX2N4391

MX2N4391

僅供參考

型號 MX2N4391
PNEDA編號 MX2N4391
描述 N CHANNEL JFET
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 30 - 一月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MX2N4391資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MX2N4391
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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MX2N4391規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
FET類型-
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)-
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.3V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

125mW

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

*

FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

80mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 0.5nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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制造商

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

3V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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包裝/箱

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