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MV2N4859UB

MV2N4859UB

僅供參考

型號 MV2N4859UB
PNEDA編號 MV2N4859UB
描述 N CHANNEL JFET
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MV2N4859UB資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MV2N4859UB
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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MV2N4859UB規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
FET類型-
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)-
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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漏極至源極電壓(Vdss)

15V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

10mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

300mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

200mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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TO-206AA (TO-18)

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

700mV @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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FET類型

P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

MV2N4856UB

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

*

FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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工作溫度

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