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MX2N4857UB

MX2N4857UB

僅供參考

型號 MX2N4857UB
PNEDA編號 MX2N4857UB
描述 N CHANNEL JFET
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MX2N4857UB資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MX2N4857UB
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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MX2N4857UB規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
FET類型-
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)-
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

900µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

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電流消耗(Id)-最大

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ON Semiconductor

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

100 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Vishay Siliconix

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電阻-RDS(On)

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功率-最大

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20V

漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

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安裝類型

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