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N25Q016A11ESCA0F TR

N25Q016A11ESCA0F TR

僅供參考

型號 N25Q016A11ESCA0F TR
PNEDA編號 N25Q016A11ESCA0F-TR
描述 IC FLASH 16M SPI 108MHZ 8SO
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,562
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

N25Q016A11ESCA0F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號N25Q016A11ESCA0F TR
類別半導體內存IC內存
數據表
N25Q016A11ESCA0F TR, N25Q016A11ESCA0F TR數據表 (總頁數: 77, 大小: 1,046.15 KB)
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N25Q016A11ESCA0F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小16Mb (2M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率108MHz
寫周期-字,頁8ms, 1ms
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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Micron Technology Inc.

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

128Gb (16G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

96-FBGA (8x14)

S25FL128LAGBHV030

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

FL-L

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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