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NCP3418DR2

NCP3418DR2

僅供參考

型號 NCP3418DR2
PNEDA編號 NCP3418DR2
描述 IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,690
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NCP3418DR2資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NCP3418DR2
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
NCP3418DR2, NCP3418DR2數據表 (總頁數: 9, 大小: 260.81 KB)
PDFNCP3418DR2數據表 封面
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NCP3418DR2規格

制造商ON Semiconductor
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Synchronous
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電4.6V ~ 13.2V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2V
電流-峰值輸出(源極,接收器)-
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)30V
上升/下降時間(典型值)18ns, 10ns
工作溫度0°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

19ns, 19ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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門類型

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

125ns, 50ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

450mA, 450mA

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

300V

上升/下降時間(典型值)

65ns, 25ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Richtek USA Inc.

系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

300mA, 600mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

70ns, 35ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

35V

上升/下降時間(典型值)

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工作溫度

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