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NE3511S02-T1C-A

NE3511S02-T1C-A

僅供參考

型號 NE3511S02-T1C-A
PNEDA編號 NE3511S02-T1C-A
描述 IC AMP RF LNA 13.5DB S02
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE3511S02-T1C-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE3511S02-T1C-A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
NE3511S02-T1C-A, NE3511S02-T1C-A數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,432.31 KB)
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NE3511S02-T1C-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型HFET
頻率12GHz
增益13.5dB
電壓-測試2V
額定電流(安培)70mA
噪聲系數0.3dB
當前-測試10mA
功率-輸出-
電壓-額定4V
包裝/箱4-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝S02

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增益

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電壓-測試

30V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

1.6A

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

供應商設備包裝

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頻率

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增益

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電壓-測試

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額定電流(安培)

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當前-測試

850mA

功率-輸出

19W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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電壓-測試

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額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

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電壓-測試

32V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

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功率-輸出

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電壓-額定

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頻率

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增益

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電壓-測試

15V

額定電流(安培)

13mA

噪聲系數

2dB

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

30V

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