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NE663M04-A

NE663M04-A

僅供參考

型號 NE663M04-A
PNEDA編號 NE663M04-A
描述 RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343F
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 3,240
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE663M04-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE663M04-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE663M04-A, NE663M04-A數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,417.29 KB)
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NE663M04-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)3.3V
頻率-過渡15GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.2dB @ 2GHz
增益14dB
功率-最大190mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 10mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝SOT-343F

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

25dB

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 2mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

供應商設備包裝

TO-72

BF959

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

700MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

增益

-

功率-最大

625mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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制造商

Central Semiconductor Corp

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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CEL

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

13.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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-

增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

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包裝/箱

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