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NE68530-T1

NE68530-T1

僅供參考

型號 NE68530-T1
PNEDA編號 NE68530-T1
描述 RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT323
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 3,150
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 21 - 六月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE68530-T1資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE68530-T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE68530-T1, NE68530-T1數據表 (總頁數: 17, 大小: 720.24 KB)
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NE68530-T1規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)6V
頻率-過渡12GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益7dB
功率-最大150mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce75 @ 10mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SOT-323

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頻率-過渡

6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 800MHz

增益

11dB ~ 14dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

9.5dB ~ 14.5dB

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 30mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2.3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

17dB ~ 23dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

7.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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