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NJX1675PDR2G

NJX1675PDR2G

僅供參考

型號 NJX1675PDR2G
PNEDA編號 NJX1675PDR2G
描述 TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,564
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NJX1675PDR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NJX1675PDR2G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
NJX1675PDR2G, NJX1675PDR2G數據表 (總頁數: 8, 大小: 381 KB)
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NJX1675PDR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 1A, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡100MHz, 120MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500pA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

SOT-563

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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Central Semiconductor Corp

系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-363

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

3.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 350mA, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

功率-最大

1.7W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

3 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 40mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 4V

功率-最大

3W, 15W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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