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NSS40302PDR2G

NSS40302PDR2G

僅供參考

型號 NSS40302PDR2G
PNEDA編號 NSS40302PDR2G
描述 TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSS40302PDR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSS40302PDR2G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
NSS40302PDR2G, NSS40302PDR2G數據表 (總頁數: 9, 大小: 92.76 KB)
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NSS40302PDR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic115mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 1A, 2V
功率-最大653mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

功率-最大

2.12W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

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2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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2 PNP (Dual) Matched Pair

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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