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NSVBC143ZDXV6T1G

NSVBC143ZDXV6T1G

僅供參考

型號 NSVBC143ZDXV6T1G
PNEDA編號 NSVBC143ZDXV6T1G
描述 TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVBC143ZDXV6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVBC143ZDXV6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSVBC143ZDXV6T1G, NSVBC143ZDXV6T1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 83.46 KB)
PDFNSBC143ZDXV6T5G數據表 封面
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  • NSVBC143ZDXV6T1G Distributor

NSVBC143ZDXV6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
電阻-基本(R1)-
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡-
功率-最大-
安裝類型-
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電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

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