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NSVJ3910SB3T1G

NSVJ3910SB3T1G

僅供參考

型號 NSVJ3910SB3T1G
PNEDA編號 NSVJ3910SB3T1G
描述 IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 44,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVJ3910SB3T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVJ3910SB3T1G
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
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NSVJ3910SB3T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)25V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)20mA @ 5V
電流消耗(Id)-最大50mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID600mV @ 100µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6pF @ 5V
電阻-RDS(On)-
功率-最大400mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝3-CPH

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

8mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

電阻-RDS(On)

80 Ohms

功率-最大

360mW

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Through Hole

包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

4mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

700mV @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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