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NSVJ5908DSG5T1G

NSVJ5908DSG5T1G

僅供參考

型號 NSVJ5908DSG5T1G
PNEDA編號 NSVJ5908DSG5T1G
描述 NCH+NCH J-FET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 4 - 四月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVJ5908DSG5T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVJ5908DSG5T1G
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
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  • NSVJ5908DSG5T1G Distributor

NSVJ5908DSG5T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)15V
漏極至源極電壓(Vdss)15V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)10mA @ 5V
電流消耗(Id)-最大50mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID300mV @ 100µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10.5pF @ 5V (Typ)
電阻-RDS(On)-
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱5-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝SC-88AFL/MCPH5

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電阻-RDS(On)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11pF @ 10V (VGS)

電阻-RDS(On)

300 Ohms

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

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電流消耗(Id)-最大

-

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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