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2N5547JTXL01

2N5547JTXL01

僅供參考

型號 2N5547JTXL01
PNEDA編號 2N5547JTXL01
描述 JFET N-CH 50V TO-71
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,826
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N5547JTXL01資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N5547JTXL01
類別半導體晶體管晶體管-JFET

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2N5547JTXL01規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型-
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)-
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)-
功率-最大-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-71-6
供應商設備包裝TO-71

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-206AF (TO-72)

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制造商

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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系列

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

210µA @ 2V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

100mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5pF @ 2V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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