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NSVMMUN2136LT1G

NSVMMUN2136LT1G

僅供參考

型號 NSVMMUN2136LT1G
PNEDA編號 NSVMMUN2136LT1G
描述 TRANS PNP BIPOLAR SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 九月 30 - 十月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVMMUN2136LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVMMUN2136LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSVMMUN2136LT1G, NSVMMUN2136LT1G數據表 (總頁數: 10, 大小: 88.92 KB)
PDFNSVMMUN2136LT1G數據表 封面
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NSVMMUN2136LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
電阻-基本(R1)-
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡-
功率-最大-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

*

晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

電阻-基本(R1)

-

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

-

功率-最大

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100kOhms

電阻-發射極基(R2)

100kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

6-TSSOP

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Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

80MHz

功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-963

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

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