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NSVT3904DXV6T1G

NSVT3904DXV6T1G

僅供參考

型號 NSVT3904DXV6T1G
PNEDA編號 NSVT3904DXV6T1G
描述 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,016
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVT3904DXV6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVT3904DXV6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
NSVT3904DXV6T1G, NSVT3904DXV6T1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 136.11 KB)
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NSVT3904DXV6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 10mA, 1V
功率-最大500mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V, 150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 2V

功率-最大

2.75W

頻率-過渡

240MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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