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NTB13N10T4G

NTB13N10T4G

僅供參考

型號 NTB13N10T4G
PNEDA編號 NTB13N10T4G
描述 MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTB13N10T4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTB13N10T4G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTB13N10T4G, NTB13N10T4G數據表 (總頁數: 8, 大小: 77.4 KB)
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NTB13N10T4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs165mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds550pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)64.7W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.38Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

586pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

89W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

173pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

550A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

595nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

940W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3607pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

143nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6420pF @ 100V

FET功能

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功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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