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NTB150N65S3HF

NTB150N65S3HF

僅供參考

型號 NTB150N65S3HF
PNEDA編號 NTB150N65S3HF
描述 MOSFET N-CH 650V 24A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTB150N65S3HF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTB150N65S3HF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTB150N65S3HF, NTB150N65S3HF數據表 (總頁數: 10, 大小: 241.13 KB)
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NTB150N65S3HF規格

制造商ON Semiconductor
系列FRFET®, SuperFET® III
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 540µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs43nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1985pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)192W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK-3 (TO-263-3)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

系列

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 72A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2995pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-220-3

IRFHS8242TR2PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.9A (Ta), 21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

653pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

195nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13900pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 195W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

269nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3565pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

375W (Tc)

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