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NTB18N06T4

NTB18N06T4

僅供參考

型號 NTB18N06T4
PNEDA編號 NTB18N06T4
描述 MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,150
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTB18N06T4資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTB18N06T4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTB18N06T4, NTB18N06T4數據表 (總頁數: 8, 大小: 84.98 KB)
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NTB18N06T4規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds450pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)48.4W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.7A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 11.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3250pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

890mW (Ta), 55.5W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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制造商

Renesas Electronics America

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1760pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

136nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7400pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

包裝/箱

8-PowerTDFN, 5 Leads

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta), 136A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3071pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 64W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V, 16V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 14A, 16V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

59nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2410pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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