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UPA2815T1S-E2-AT

UPA2815T1S-E2-AT

僅供參考

型號 UPA2815T1S-E2-AT
PNEDA編號 UPA2815T1S-E2-AT
描述 MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

UPA2815T1S-E2-AT資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號UPA2815T1S-E2-AT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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UPA2815T1S-E2-AT規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)21A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs47nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1760pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.5W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-HWSON (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerWDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1211pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

340mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3080pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

208W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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