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NTGS5120PT1G

NTGS5120PT1G NTGS5120PT1G

僅供參考

型號 NTGS5120PT1G
PNEDA編號 NTGS5120PT1G
描述 MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 50,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTGS5120PT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTGS5120PT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NTGS5120PT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs111mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18.1nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds942pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)600mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-TSOP
包裝/箱SOT-23-6

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Renesas Electronics America

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

79nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5090pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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