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NTHD3100CT1G

NTHD3100CT1G

僅供參考

型號 NTHD3100CT1G
PNEDA編號 NTHD3100CT1G
描述 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 101,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTHD3100CT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTHD3100CT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTHD3100CT1G, NTHD3100CT1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 138.04 KB)
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NTHD3100CT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.9A, 3.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds165pF @ 10V
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝ChipFET™

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 10V

功率-最大

300mW

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

250mW

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.1nC, 2.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF, 120pF @ 15V

功率-最大

500mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

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