NTHD3100CT3G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.9A, 3.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 2.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 165pF @ 10V 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 ChipFET™ |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.9A, 3.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 2.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 165pF @ 10V 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 ChipFET™ |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.9A, 3.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 2.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 165pF @ 10V 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 ChipFET™ |
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