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NTHL050N65S3HF

NTHL050N65S3HF

僅供參考

型號 NTHL050N65S3HF
PNEDA編號 NTHL050N65S3HF
描述 SF3 650V 50MOHM E TO247L
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,634
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTHL050N65S3HF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTHL050N65S3HF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NTHL050N65S3HF規格

制造商ON Semiconductor
系列FRFET®, SuperFET® III
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)58A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1.7mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs125nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5017pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)378W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

37.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 18.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.21mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

119nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2660pF @ 100V

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-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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系列

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

240A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

460nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

32000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

830W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1820pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

145W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

310mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 400µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

32W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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