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NTLJD3119CTBG

NTLJD3119CTBG

僅供參考

型號 NTLJD3119CTBG
PNEDA編號 NTLJD3119CTBG
描述 MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 363,516
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTLJD3119CTBG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTLJD3119CTBG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTLJD3119CTBG, NTLJD3119CTBG數據表 (總頁數: 11, 大小: 157.9 KB)
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NTLJD3119CTBG規格

制造商ON Semiconductor
系列µCool™
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.6A, 2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.7nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds271pF @ 10V
功率-最大710mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-WDFN (2x2)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A (Ta), 6.8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 15V, 1188pF @ 15V

功率-最大

1.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

47A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 100V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V

功率-最大

6W

工作溫度

-55°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A, 30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1037pF @ 15V

功率-最大

3.6W, 4.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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