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ZXMD63C03XTC

ZXMD63C03XTC

僅供參考

型號 ZXMD63C03XTC
PNEDA編號 ZXMD63C03XTC
描述 MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP
制造商 Diodes Incorporated
單價
1 ---------- $1.7105
250 ---------- $1.6303
500 ---------- $1.5501
1,000 ---------- $1.4699
2,500 ---------- $1.4031
5,000 ---------- $1.3363
庫存 392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ZXMD63C03XTC資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ZXMD63C03XTC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ZXMD63C03XTC, ZXMD63C03XTC數據表 (總頁數: 12, 大小: 1,002.96 KB)
PDFZXMD63C03XTC數據表 封面
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ZXMD63C03XTC規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs135mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA (Min)
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds290pF @ 25V
功率-最大1.04W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝8-MSOP

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ON Semiconductor

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FET類型

N and P-Channel

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

575pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.7V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.1pF @ 3V

功率-最大

200mW (Ta)

工作溫度

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

410pF @ 10V

功率-最大

750mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

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