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NTMFS4845NT3G

NTMFS4845NT3G

僅供參考

型號 NTMFS4845NT3G
PNEDA編號 NTMFS4845NT3G
描述 MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFS4845NT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFS4845NT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMFS4845NT3G, NTMFS4845NT3G數據表 (總頁數: 7, 大小: 127.58 KB)
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NTMFS4845NT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13.7A (Ta), 115A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs62nC @ 11.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3720pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)890mW (Ta), 62.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerFlat™ (5x6)

包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

315pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Ta), 150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4130pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6Ohm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

353pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

17.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 500mA, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

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