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NTMFS4983NFT1G

NTMFS4983NFT1G

僅供參考

型號 NTMFS4983NFT1G
PNEDA編號 NTMFS4983NFT1G
描述 MOSFET N-CH 30V 160A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 17,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFS4983NFT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFS4983NFT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMFS4983NFT1G, NTMFS4983NFT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 84.54 KB)
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NTMFS4983NFT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Ta), 106A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs47.9nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3250pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.7W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN

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N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1990pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SOIC

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NVTFS4C08NWFTAG

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1113pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

295mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

500mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

830mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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