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STY80NM60N

STY80NM60N

僅供參考

型號 STY80NM60N
PNEDA編號 STY80NM60N
描述 MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STY80NM60N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STY80NM60N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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STY80NM60N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)74A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs360nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10100pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)447W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝MAX247™
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 70µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5200pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO251-3

包裝/箱

TO-251-3 Stub Leads, IPak

制造商

IXYS

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

240A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 120A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

195nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

940W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ II

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 94W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

108nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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