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NTMSD2P102LR2G

NTMSD2P102LR2G

僅供參考

型號 NTMSD2P102LR2G
PNEDA編號 NTMSD2P102LR2G
描述 MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMSD2P102LR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMSD2P102LR2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMSD2P102LR2G, NTMSD2P102LR2G數據表 (總頁數: 9, 大小: 95.86 KB)
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NTMSD2P102LR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列FETKY™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 4.5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds750pF @ 16V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)710mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOIC
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2290pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 8.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-PQFN (5x6)

包裝/箱

8-PowerTDFN

STD90N03L

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

STripFET™ III

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2805pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

95W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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Renesas Electronics America

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 253µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3750pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta), 105W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.72nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta), 1.14W (Tc)

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