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NTR3162PT3G

NTR3162PT3G

僅供參考

型號 NTR3162PT3G
PNEDA編號 NTR3162PT3G
描述 MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,904
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTR3162PT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTR3162PT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NTR3162PT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.3nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds940pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)480mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

230nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

556mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

4-XFBGA, WLCSP

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 250mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

85pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-92-3

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

108nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5836pF @ 25V

FET功能

Temperature Sensing Diode

功耗(最大值)

272W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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900mW (Ta)

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