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NVMFD5489NLWFT3G

NVMFD5489NLWFT3G

僅供參考

型號 NVMFD5489NLWFT3G
PNEDA編號 NVMFD5489NLWFT3G
描述 MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5489NLWFT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5489NLWFT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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NVMFD5489NLWFT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.4nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds330pF @ 25V
功率-最大3W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

259nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

功率-最大

250W

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

448pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

245pF @ 10V, 218pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

功率-最大

390W

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-40°C ~ 150°C (TJ)

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