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NVMFD5873NLT1G

NVMFD5873NLT1G

僅供參考

型號 NVMFD5873NLT1G
PNEDA編號 NVMFD5873NLT1G
描述 MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 26,281
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5873NLT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5873NLT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NVMFD5873NLT1G, NVMFD5873NLT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 76.99 KB)
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NVMFD5873NLT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A
Rds On(Max)@ Id,Vgs13mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30.5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1560pF @ 25V
功率-最大3.1W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

219A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 150A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 30mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

483nC @ 20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8400pF @ 1000V

功率-最大

925W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc), 18A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V, 45nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1650pF @ 25V

功率-最大

34W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Vishay Siliconix

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Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

92mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 25V

功率-最大

27W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V (1.2kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

187nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5155pF @ 25V

功率-最大

390W

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安裝類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.6nC @ 4.5V

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