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NVMFD5C470NLT1G

NVMFD5C470NLT1G

僅供參考

型號 NVMFD5C470NLT1G
PNEDA編號 NVMFD5C470NLT1G
描述 MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5C470NLT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5C470NLT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NVMFD5C470NLT1G, NVMFD5C470NLT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 138.08 KB)
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NVMFD5C470NLT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta), 36A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 20µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds590pF @ 25V
功率-最大3W (Ta), 24W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 40V

功率-最大

1.8W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1984pF @ 6V

功率-最大

1W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 250MA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

268pF @ 10V

功率-最大

500mW

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